陈云海继续往下看技术参数。存储单元结构、页大小、块大小、擦写次数、数据保持时间、读写IO带宽。
每一个参数后面都附了台积电流片验证报告的对应截图和编号。
他把几个关键参数抄到了笔记本上，和自己脑子里三星、东芝同规格产品的公开数据做了一轮对比。
红星这枚颗粒的读写速度比三星同容量产品低了大约20%以上。
擦写寿命也短了不少，起码25%。
但是——
能跑。
数据能对得上。
参数在合理范围内。
陈云海把笔搁下来，摘了眼镜，用手掌按了按眼眶。
当了二十多年院士，评审过的芯片项目少说也有上百个。
那些年华夏的半导体圈子里什么幺蛾子都出过，假数据、改良率、甚至花钱买国外的die回来重新封装贴个国产标签。
汉芯的事情到现在还是整个行业的奇耻大辱。
所以陈云海对任何宣称国产突破的材料，本能的第一反应就是不信，先证伪，再考虑信不信。
但蔡永芯这份报告里的数据，他挑不出毛病。
不是完美的那种挑不出，反而是那些不完美的地方让他觉得可信——读写速度比三星低15%，擦写寿命短一到两成，良率78%不算高——这恰恰是一个真正的首次流片芯片应该有的水平。
如果所有参数都和三星一模一样甚至更好，那才有鬼。
陈云海重新戴上眼镜，拿起电话打给了赵利剑。
“赵部长，材料我初步看了。”
“陈院士，怎么样？”
“纸面上挑不出明显问题，但我需要看实物，看完整的设计文档和流片Wafer的测试报告原件。”
陈云海停了一下。
“赵部长，如果这枚芯片是真的，你知道这意味着什么。”
“我知道。”
“那就安排个时间，我要当面验证。
两天后，工信部七楼的小会议室里坐了五个人。
赵利剑坐在长桌的主位，右手边是陈云海，左手边是电子信息司的李文海。
对面是蔡永芯，以及陈星安排留在帝都配合工作的陆远江。
陆远江面前的桌上摆着三样东西。
一个亚克力盒子，里面躺着那枚黑色的NAND颗粒。
一份装订成册的技术文档，厚度超过两厘米。
一个移动硬盘，里面存着台积电出具的完整流片测试报告。
陈云海没有先看文档，而是先把那枚芯片取了出来。
他从自己的包里掏出一只便携放大镜和一把防静电镊子,镊子夹起芯片翻到背面，放大镜凑到距离芯片大约三厘米的位置。
陈云海看了足有半分钟，期间没有任何人出声。
会议室里安静到能听见空调出风口的嗡嗡声。
“die的面积大约在多少？”陈云海开口问，眼睛没离开镜片。
“67平方毫米。”陆远江答道。
陈云海把放大镜放下，在脑子里算了一下。32nm制程、1GB容量、67平方毫米的die面积，这个数字和三星同期的K9F8G08U0M相比偏大了约12%，属于首次投片的正常偏差范围。
他把芯片放回盒子里，伸手翻开了那本技术文档。
文档的第一章是存储单元结构设计。陈云海从第一页开始看，看了大约十页后把手指按在其中一张电路示意图上。
“这个浮栅结构的隧穿氧化层厚度你们取了多少？”
“7.2纳米。”陆远江不需要翻文档，直接回答。
“比三星的公开参数薄了将近一个纳米，你们做过可靠性验证吗？擦写一万次以后的氧化层退化情况怎么样？”
陆远江从移动硬盘里调出一份SpreadSheet，转过笔记本电脑的屏幕让陈云海看。
“擦写一万次后氧化层阈值电压漂移0.3V，在可接受范围的边缘，我们后续会在量产版本中把厚度调回到7.5纳米，牺牲一点写入速度换可靠性。”
陈云海盯着屏幕上的数据曲线看了几秒，手指沿着横轴从一千次滑到一万次。
曲线的走势是对的。前两千次几乎是平坦的，两千次到五千次开始有可见的上升，五千次以后斜率增大。
这个退化曲线的形状和他在学术文献里看到的三星同类产品的公开数据高度一致。
“你以前在奇梦达做的是DRAM。”
陈云海说这句话的时候抬起头，直接看着陆远江。
陆远江点了一下头。
“DRAM和NAND的工艺相通性确实超过60%，但剩下那40%的差异——存储单元结构、多值存储的编程算法、坏块管理策略，这些跨得过去吗？”
坐在一旁的赵利剑和李文海都把目光投向了陆远江。
这个问题不是随便问问，这是整份报告最核心的质疑点。
一个做DRAM出身的团队转做NAND，跨度有多大？
陆远江的回答不急不慢。
“陈院士，您说的这40%的差异确实是我们遇到的最困难的部分,坦白讲，奇梦达时期我们的DRAM设计经验在存储阵列的布局、位线驱动电路、灵敏放大器这些方面帮了很大的忙，但在NAND特有的浮栅编程策略和多值判读上，我们走了接近一年的弯路。”
“这是我们的ISPP编程算法方案，增量步进脉冲编程，每一步的电压步进量从最初的0.5V调到了0.2V，付出的代价是编程时间增加了约40%，但换来了阈值电压分布的收窄，多值存储的误码率控制在了10的负15次方以下。”
http://www.xvipxs.net/208_208282/72059716.html
请记住本书首发域名：www.xvipxs.net。VIP中文手机版阅读网址：m.xvipxs.net